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品評四方|美國在台海是戰是和?中國芯片光刻機是重要因素

文/關品方

據傳媒報道,華為光刻機傳出有大突破,中國有望繞道突破科技封鎖。這可能衝擊台積電的價值,一旦跌價,台積電1000億美元投資到美國設廠的決定會失去戰略意義。

筆者留意到網上陳明遠和唐湘龍等的評估,參考筆者的好友李榮彬教授不時的專業預測,認為美國可能出招已遲。美國要重新考慮怎樣在撒手我國台灣省之前取得最大的利益。是戰是和,就看美國。不要光看「台獨」叛逆分子怎樣吹水挑釁,要看真正懂得門道的人的分析(例如郭台銘,他最害怕兩岸打起來)。

我的朋友李榮彬教授認為,中國芯片業的發展比他三年前(2022)的預測還快,成熟製程產能四年後(2029)已可超越台積電。如今哈工大14納米的光刻機亦已做了出來,正如他2023年所預測,中國現時生產大約60%的傳統芯片,廣泛用於電動車、家用電器和醫療設備,未來幾年中國還將繼續大量生產這些傳統芯片,如果這趨勢持續,增產到80%,美國和台積電單靠生產高端芯片已不能夠養活自己。全球芯片業的供應鏈將發生撼動性的變化(包括做原材料的、做化學分子的、做生產設備的,全都要調整),因為再也不用不停地追求高端納米芯片開發,14納米已相當夠用(例如DeepSeek,Manus)。

據報道,哈工大在14納米芯片製造技術方面已取得了兩項關鍵突破,分別是「高速超精密激光干涉儀」和「放電等離子體極紫外光刻光源」。這兩方面的突破對中國芯片製造技術的發展具有重要意義。

高速超精密激光干涉儀可以確保光刻機中掩膜工作台、旋轉式雙工作台交替使用和物鏡系統之間的相對位置承載和移動精度,從而提高光刻機的整體套刻精度,是14納米光刻機的關鍵技術之一。這樣就解決了光刻機製造中的重要技術難題,標誌着中國在光刻機領域取得了重大進展。

放電等離子體極紫外光刻光源(俗稱「曝光機心臟」)由哈工大團隊研發,提供中心波長為13.5納米的極紫外光,可以滿足極紫外線光刻機(EUV)對光源的需求,具有高能量轉化率、低成本和小體積的優勢。

以上的突破有助於中國在芯片製造技術上減少對國外技術的依賴,推動國內半導體產業的自主發展。雖然中國目前的光刻機製造水平仍與國際領先水平存在差距,但以上這些成果為未來的中國技術追趕奠定了基礎。

綜合李、唐、陳等的分析,中國現正努力突破美國的科技打壓封鎖,在傳統的10-14納米波長方面(10納米是一根頭髮絲直徑的6000分之一)今年有可能用彎道超車的方式,從跟隨者變成領先者。

和芯片產業息息相關的,是AI/ML/AR(人工智能、機器學習、人形機器人)。在全球範圍,AI大模型和ML應用的發布量第一名美國、第二名中國,但中國的追趕速度非常快。中國現時在人形機器人方面的發展速度,可能已超過美國。因為驅動器技術(各類型大大小小的電機,actuator motors,通稱摩打)模擬人類的關節功能,涉及大量傳感器和傳統芯片的應用。

近日科技界傳言,華為的EUV極紫外光刻機快要研製成功了,可能今年就可量產。它和荷蘭的ASML採用「刺激電漿」的方法不同,除了在技術上有突破之外,最重要的是獲得國家在技術機密方面政策性的支持。因為涉及電漿武器可以把動能和能量互相轉化,筆者在本文以三言兩語是說不清楚的。

DeepSeek等「杭州六小龍」的成功,讓我們更相信民間科技企業的創投能量。今年是《中國製造2025》封關之年,多數計劃都基本達標,就只有半導體產業有待趕上,值得高度關注。目前已到了EUV光刻機的突破階段,持續發展下去,美國再沒有辦法卡我們的脖子。中國將會有全系統的半導體製造產業,猛烈衝擊台積電。外資如果看好中國科技發展的未來、增加資金配置投向中國,一個百分點就是80億美元的淨流入量。市場估計外資對於中國現時AI大模型等的投放興趣是2.5個百分點,即200億美元。這還只是一個方面。中國未來若彎道超車、成功跨越美國成為科技的全球引領者,前面就再沒有任何路障,中國在科技領域的發展前景將會有無窮的想像力。李教授認為,當美國政客高聲叫囂要把中國打回石器年代時,美國的冰河時期已經悄然降臨;兩年前預測的「成熟芯片將會變為白菜價」,三年後將會出現。美國政客們其實不懂科技,只懂抽佣。

總而言之,台積電不能單憑依靠開發2納米芯片圖存。中國不跟在美國的後面走,更不會跟在台積電的後面走。台積電以1000億美元的代價遷廠搞資產轉移算什麼?賴清德多花500億美元買更多美國軍備武器算什麼?如今加上第六代戰機和第四艘航母,中國早日完成祖國統一的進程已大步加速向前。中國國防部《當那一天來臨》的MV歌曲也已發布,就等D-Day的到來。

台海是戰是和?和平?可以。戰爭?奉陪。讓美國總統特朗普決定就得。他代表資產階級,只是想要錢,不是要拚命。筆者認為,如果他要來北京談,最好先參考當年尼克松(1972)的做法。什麼做法?另文再述。

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